中国科学院计算技术研究所机构知识库

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	A NAND-SPIN-Based Magnetic ADC 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2021, 卷号: 68, 期号: 2, 页码: 617-621 作者:  Wu, Bi;  Wang, Zhaohao;  Li, Yuxuan;  Wang, Ying;  Liu, Dijun;  Zhao, Weisheng;  Hu, Xiaobo Sharon 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2021/12/01 Switches  Resistance  Reliability  Magnetic tunneling  Tunneling magnetoresistance  Sensors  Magnetic devices  Magnetic ADC  NAND-SPIN  multiple switching thresholds
	Field-Free 3T2SOT MRAM for Non-Volatile Cache Memories 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2020, 卷号: 67, 期号: 12, 页码: 4660-4669 作者:  Wu, Bi;  Wang, Chao;  Wang, Zhaohao;  Wang, Ying;  Zhang, Deming;  Liu, Dijun;  Zhang, Youguang;  Hu, Xiaobo Sharon 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2021/12/01 Random access memory  Magnetic tunneling  Switches  Reliability  Tunneling magnetoresistance  Metals  Transistors  SOT-MRAM  low power  high speed  high reliability