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中国科学院计算技术研究所机构知识库
Institute of Computing Technology, Chinese Academy IR
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The Impact of Ferroelectric FETs on Digital and Analog Circuits and Architectures
期刊论文
IEEE DESIGN & TEST, 2020, 卷号: 37, 期号: 1, 页码: 79-99
作者:
Chen, Xiaoming
;
Sun, Xiaoyu
;
Wang, Panni
;
Datta, Suman
;
Hu, Xiaobo Sharon
;
Yin, Xunzhao
;
Jerry, Matthew
;
Yu, Shimeng
;
Laguna, Ann Franchesca
;
Ni, Kai
;
Niemier, Michael T.
;
Reis, Dayane
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提交时间:2020/12/10
Iron
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Negative Capacitance Field Effect Transistor
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CAM
TCAM
compute-in-memory
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Ferroelectric FETs-Based Nonvolatile Logic-in-Memory Circuits
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2019, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 159-172
作者:
Yin, Xunzhao
;
Chen, Xiaoming
;
Niemier, Michael
;
Hu, Xiaobo Sharon
收藏
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提交时间:2019/04/03
Ferroelectric FET (FeFET)
logic-in-memory (LiM)
nonvolatile (NV) memory
Adaptive polarization-difference transient imaging for depth estimation in scattering media
期刊论文
OPTICS LETTERS, 2018, 卷号: 43, 期号: 6, 页码: 1299-1302
作者:
Wu, Rihui
;
Jarabo, Adrian
;
Suo, Jinli
;
Dai, Feng
;
Zhang, Yongdong
;
Dai, Qionghai
;
Gutierrez, Diego
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提交时间:2019/12/10