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Field-Free 3T2SOT MRAM for Non-Volatile Cache Memories 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2020, 卷号: 67, 期号: 12, 页码: 4660-4669
作者:  Wu, Bi;  Wang, Chao;  Wang, Zhaohao;  Wang, Ying;  Zhang, Deming;  Liu, Dijun;  Zhang, Youguang;  Hu, Xiaobo Sharon
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Random access memory  Magnetic tunneling  Switches  Reliability  Tunneling magnetoresistance  Metals  Transistors  SOT-MRAM  low power  high speed  high reliability