Institute of Computing Technology, Chinese Academy IR
| 大容量DRAM的刷新开销问题及优化技术综述 | |
| 崔泽汉; 陈明宇 | |
| 2016 | |
| 发表期刊 | 计算机研究与发展
 |
| ISSN | 1000-1239 |
| 卷号 | 53.0期号:002页码:416 |
| 摘要 | 动态随机存储器（DRAM）具有速度快、密度高、成本低的优势，被广泛应用于计算机的主存.DRAM采用电容作为存储单元，电容电荷的多少表示数字“0”或“1”.由于存在漏电现象，电容里的电荷会缓慢流失，造成数据丢失.为保证数据正确性，DRAM采用周期性的刷新操作，在数据丢失前，把数据读出然后重新写入存储单元.刷新操作会阻碍正常访存的执行，造成性能上的开销；同时刷新操作会消耗额外的功耗，带来功耗上的开销.刷新的开销与DRAM密度相关：在过去，当DRAM密度较小时，需要刷新的存储单元数较少，刷新开销很小，并未引起关注；但是，随着摩尔定律的发展，DRAM密度越来越大，目前已发展到千兆比特级别，其刷新周期并没有改善，单位时间内需要刷新的存储单元数越来越多，从而使刷新带来的性能和功耗开销越来越严重.刷新问题目前得到了工业界和学术界的广泛关注.首先介绍了目前DRAM的刷新方式和开销，以及工业界已经实现的一些改进；然后把工业界和学术界提出的众多优化方法分为“减轻刷新操作对访存的阻塞”和“减少不必要的刷新操作”两大类，分别进行了分析和总结；最后给出了关于智能刷新管理的总结和展望. |
| 关键词 | 主存 动态随机存储器 刷新 性能 功耗 保持时间 不必要刷新 |
| 语种 | 英语 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://119.78.100.204/handle/2XEOYT63/30147 |
| 专题 | 中国科学院计算技术研究所期刊论文_中文 |
| 作者单位 | 中国科学院计算技术研究所 |
| 第一作者单位 | 中国科学院计算技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔泽汉,陈明宇. 大容量DRAM的刷新开销问题及优化技术综述[J]. 计算机研究与发展,2016,53.0(002):416. |
| APA | 崔泽汉,&陈明宇.(2016).大容量DRAM的刷新开销问题及优化技术综述.计算机研究与发展,53.0(002),416. |
| MLA | 崔泽汉,et al."大容量DRAM的刷新开销问题及优化技术综述".计算机研究与发展 53.0.002(2016):416. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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