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多微通道内存系统设计方法
张广飞1; 王焕东1; 陈新科1; 黄帅1; 陈李维1
2013
发表期刊高技术通讯
ISSN1002-0470
卷号23.0期号:007页码:685
摘要通过建立内存系统排队模型,分析了影响内存系统性能的原因——内存控制器的内存命令处理速度受访存请求页命中率、Bank级并行度和读写命令切换率的影响,进而提出了一种多微通道内存系统设计方法。用此方法多微通道内存控制器通过对内存颗粒进行细粒度控制,可以提高访存请求页命中率和Bank级并行度,隐藏数据总线读写切换延迟。该结构在提高内存系统带宽利用率的同时,缩短访存请求延迟,并提高内存功耗有效性。将多微通道内存控制器设计应用于多核处理器平台,充分分析各种宽度访存通道对应用程序性能的影响。实验结果表明,相比传统内存控制器设计方法,多微通道内存控制器将内存系统带宽提高了21.8%,访存延迟和功耗分别降低14.4%和26.2%。
关键词DRAM系统 内存控制器 片上多核 多通道 访存特性
语种英语
文献类型期刊论文
条目标识符http://119.78.100.204/handle/2XEOYT63/25879
专题中国科学院计算技术研究所期刊论文_中文
作者单位1.中国科学院计算技术研究所
2.中国科学院计算机系统结构重点实验室
第一作者单位中国科学院计算技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张广飞,王焕东,陈新科,等. 多微通道内存系统设计方法[J]. 高技术通讯,2013,23.0(007):685.
APA 张广飞,王焕东,陈新科,黄帅,&陈李维.(2013).多微通道内存系统设计方法.高技术通讯,23.0(007),685.
MLA 张广飞,et al."多微通道内存系统设计方法".高技术通讯 23.0.007(2013):685.
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