Institute of Computing Technology, Chinese Academy IR
| 降低Fe—N软磁薄膜矫顽力的途径 | |
| 李丹1; 周剑平1; 顾有松1; 常香荣1; 李福燊1; 乔利杰1; 田中卓1; 方光旦2; 宋庆山2 | |
| 2002 | |
| 发表期刊 | 自然科学进展
 |
| ISSN | 1002-008X |
| 卷号 | 12.0期号:011页码:1177 |
| 摘要 | 用RF磁控溅射沉积的Fe-N磁性薄膜，饱和磁化强度比较高，但矫顽力太高，因而降低Hc成为Fe-N是否可以用于高密度磁记录的关键。在低功率200W下溅射沉积200nm的薄膜，在250℃,12000A/m磁场下真空热处理后，当N含量在?A为5％-7％范围内，形成αˊ+α″时，μ0Ms可达2.4T，Hc<80A/m。但Fe-N磁性薄膜厚度需要达到2μm，而Hc往往因厚度增加而增加。提高溅射功率到1000W，使晶粒进一步细化，2μm厚的Fe-N磁性薄膜经250℃，12000A/m磁场下真空热处理后，当N含量在?A为5.9％-8.5％范围内，形成α′+α″时，μ0Ms=2.2T，Hc仍可低于80A/m，可以满足针对高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要。 |
| 关键词 | Fe－N软磁薄膜 矫顽力 RF磁控溅射 饱和磁化强度 磁记录材料 |
| 语种 | 英语 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://119.78.100.204/handle/2XEOYT63/34516 |
| 专题 | 中国科学院计算技术研究所期刊论文_中文 |
| 作者单位 | 1.北京科技大学材料物理系 2.中国科学院计算技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李丹,周剑平,顾有松,等. 降低Fe—N软磁薄膜矫顽力的途径[J]. 自然科学进展,2002,12.0(011):1177. |
| APA | 李丹.,周剑平.,顾有松.,常香荣.,李福燊.,...&宋庆山.(2002).降低Fe—N软磁薄膜矫顽力的途径.自然科学进展,12.0(011),1177. |
| MLA | 李丹,et al."降低Fe—N软磁薄膜矫顽力的途径".自然科学进展 12.0.011(2002):1177. |
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