VLSI芯片的可测试性、可调试性、可制造性和可维护性设计

	VLSI芯片的可测试性、可调试性、可制造性和可维护性设计
	沈理
	2003
发表期刊	计算机工程与科学
ISSN	1007-130X
卷号	25.0 期号:1.0 页码:92
摘要	CMOS器件进入深亚微米阶段，VLSI集成电路（IC）继续向高集成度，高速度，低功耗发展，使得IC在制造、设计、封装，测试上都面临新的挑战，测试已从IC设计流程的后端移至前端，VLSI芯片可测试性设计已成为IC设计中必不可少的一部分，本文介绍近几年来VLSI芯片可测试性设计的趋势，提出广义可测试性设计（TDMS技术）概念，即可测试性，可调试性，可制造性和可维护性设计，并对可调试性设计方法学和广义可测试性设计的系统化方法作了简单介绍。
关键词	VLSI芯片可测试性可调试性可制造性可维护性设计超大规模集成电路
语种	英语
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://119.78.100.204/handle/2XEOYT63/31915
专题	中国科学院计算技术研究所期刊论文_中文
作者单位	中国科学院计算技术研究所
第一作者单位	中国科学院计算技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	沈理. VLSI芯片的可测试性、可调试性、可制造性和可维护性设计[J]. 计算机工程与科学,2003,25.0(1.0):92.
APA	沈理.(2003).VLSI芯片的可测试性、可调试性、可制造性和可维护性设计.计算机工程与科学,25.0(1.0),92.
MLA	沈理."VLSI芯片的可测试性、可调试性、可制造性和可维护性设计".计算机工程与科学 25.0.1.0(2003):92.